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FQD10N20C - Mosfet N, 200V, 7.8A, 50W, 0.36R TO252 - FQD10N20C
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FQD10N20C - Mosfet N, 200V, 7.8A, 50W, 0.36R TO252 Type Designator: FQD10N20C Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation (Pd): 50 W Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V Maximum Drain Current |Id|: 7.8 A Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.36 Ohm Package: TO252_DPAK
3,69 €
Com IVA
Em Stock
Disponível a partir de: 2018-06-25
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Referência:
FQD10N20C
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Descrição

FQD10N20C - Mosfet N, 200V, 7.8A, 50W, 0.36R TO252

Type Designator: FQD10N20C
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 50 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 200 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 7.8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.36 Ohm
Package: TO252_DPAK

Dados do produto
FQD10N20C
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