TO-92,P-channel enhancement mode vertical D-MOS

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Disponível a partir de: 2017-12-05

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BSS110

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Descrição

Fabricante: ON Semiconductor
RoHS: Não
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Through Hole
Caixa / Gabinete: TO-92-3
Número de canais: 1 Channel
Polaridade do transistor: P-Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: - 50 V
Id - Corrente de drenagem contínua: - 170 mA
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 10000 mOhms

Dados do produto

Referência BSS110

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