IPP320N20N3 - Mosfet, N, 200V, 34A, 136W, 32mO, TO220

IPP320N20N3 - Mosfet, N, 200V, 34A, 136W, 32mO, TO220

Especificações
Atributo Valor
Tipo de Canal N
Corriente Máxima Continua de Drenaje 34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente 200 V
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 32 mO
Tensión de umbral de puerta máxima 4V
Tensión de umbral de puerta mínima 2V
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
Tipo de Encapsulado TO-220
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Modo de Canal Mejora
Categoría MOSFET de potencia
Disipación de Potencia Máxima 136 W
Temperatura Máxima de Funcionamiento +175 °C
Longitud 10.36mm
Dimensiones 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Material del transistor Si
Tiempo de Retardo de Encendido Típico 11 ns
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs 22 nC a 10 V
Capacitancia de Entrada Típica @Vds 1770 pF a 100 V
Tiempo de Retardo de Apagado Típico 21 ns
Ancho 4.57mm
Número de Elementos por Chip 1
Altura 15.95mm
Serie OptiMOS 3